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研究：影響磁流變拋光效果的3大因素

研究：影響磁流變拋光效果的3大因素

影響磁流變拋光效果的因素很多，工件的曲率半徑、工件浸入磁流變拋光液中的深度、工件軸的擺角、拋光時間、運動盤的速度、工件與運動盤形成的間隙大小、磁場強度、拋光駐留時間、拋光頭形狀、磨料種類、粒度等因素都...2022.08.12

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磁流變拋光技術(shù)的4大優(yōu)點及3大關(guān)鍵技術(shù)

磁流變拋光技術(shù)的4大優(yōu)點及3大關(guān)鍵技術(shù)

磁流變拋光大家應(yīng)該都不陌生了，以前我們介紹過它的原理、設(shè)備、發(fā)展、起源等知識，今天我們繼續(xù)來了解磁流變。2022.08.08

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大尺寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)和制備，為什么這么難？

大尺寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)和制備，為什么這么難？

有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶片加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。2022.08.04

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談一談：小工具數(shù)控拋光與去除函數(shù)

談一談：小工具數(shù)控拋光與去除函數(shù)

為滿足現(xiàn)代天文學(xué)、軍事等領(lǐng)域?qū)Υ罂趶健⒏呔鹊墓鈱W(xué)元件的需求，計算機控制表面成型技術(shù)(CCOS)在精密光學(xué)元件加工上得到了廣泛的應(yīng)用與發(fā)展。2022.08.02

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超精密加工的關(guān)鍵設(shè)備：揭秘離子束拋光機床之二

超精密加工的關(guān)鍵設(shè)備：揭秘離子束拋光機床之二

上一篇文章我們介紹了離子束拋光的去除函數(shù)，今天卓精藝帶大家來看看具體的驗證實驗。 驗證實驗 采用K9、熔石英玻璃開展了多次面形實驗，平均收斂率達50%以上，體現(xiàn)了離子束拋光確定性高、快速收斂的優(yōu)點。其中，φ1...2022.07.27

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