上一篇文章我們了解了半導(dǎo)體材料的起源、命名和兩大理論，今天我們繼續(xù)來看看它是如何發(fā)展的。

20世紀初期，人們開始對半導(dǎo)體材料的應(yīng)用研究。

20世紀20年代，固體物理和量子力學(xué)的發(fā)展以及能帶論的不斷完善，使半導(dǎo)體材料中的電子態(tài)和電子輸運過程的研究更加深入，對半導(dǎo)體材料中的結(jié)構(gòu)性能、雜質(zhì)和缺陷行為有了更深刻的認識，提高半導(dǎo)體晶體材料的完整性和純度的研究。

20世紀50年代，為了改善晶體管特性，提高其穩(wěn)定性，半導(dǎo)體材料的制備技術(shù)得到了迅速發(fā)展。盡管硅在微電子技術(shù)應(yīng)用方面取得了巨大成功，但是硅材料由于受間接帶隙的制約，在硅基發(fā)光器件的研究方面進展緩慢。

隨著半導(dǎo)體超晶體格概念的提出，以及分子束外延。金屬有機氣相外延和化學(xué)束外延等先進外延生長技術(shù)的進步，成功的生長出一系列的晶態(tài)、非晶態(tài)薄層、超薄層微結(jié)構(gòu)材料，這不僅推動了半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件設(shè)計與制造從過去的所謂“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”為基于量子效應(yīng)的新一代器件制造與應(yīng)用打下了基礎(chǔ)。

到目前，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展到第三代：

第一代半導(dǎo)體是“元素半導(dǎo)體”，典型如硅基和鍺基半導(dǎo)體。

第二代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵(GaN)等為代表，包括許多其它III-V族化合物半導(dǎo)體。

第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度(Eg)大于或等于2.3電子伏特(eV)而得名，主要包括SiC、GaN、金剛石等。

-單晶硅片-

目前，半導(dǎo)體材料的應(yīng)用已經(jīng)深入到我們生活的方方面面，你每天滑的手機、用的電腦、看的電視、聽的音響，里面都有半導(dǎo)體元件，可以說若沒有半導(dǎo)體，就沒有現(xiàn)代世界里的輕巧又好用的高科技產(chǎn)物。

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