從之前的文章中我們了解了磁流變拋光的原理：在磁場(chǎng)中，發(fā)生流變的磁流變拋光液流經(jīng)工件與運(yùn)動(dòng)盤形成的小間隙時(shí)，會(huì)對(duì)工件表面與之接觸的區(qū)域產(chǎn)生很大的剪切力，從而使工件表面材料被去除。

那么你知道磁流變這種超精密拋光技術(shù)是怎么提出的嗎？

其實(shí)，磁流變拋光并非最早將磁場(chǎng)應(yīng)用于光學(xué)拋光的方法。早在80年代初期，日本就有人將磁場(chǎng)用于光學(xué)加工，形成了磁介質(zhì)輔助拋光法，主要有以下三種：

1、磁性液體拋光

1984年，Y.Tian和K.Kawata利用磁場(chǎng)對(duì)浸入磁性液體中的聚丙烯平片進(jìn)行加工。原理圖如下：

其材料去除率為2μm/min， 經(jīng)過一小時(shí)拋光后，工件表面粗糙度降低了10倍。

1987年，Y.Satio等人又在水基的磁性液中對(duì)聚丙烯平片進(jìn)行了拋光，這種方法的缺點(diǎn)是拋光壓力較小，不能對(duì)較硬材料進(jìn)行拋光，而且不能對(duì)工件表面進(jìn)行有效的控制。為獲得較大的拋光壓力，Umehara等人在磁性液體中放入一個(gè)浮體與工件相接觸來進(jìn)行拋光，使壓力大大加強(qiáng)，收到了良好的效果。

2、磁場(chǎng)輔助精密拋光

磁場(chǎng)輔助精密拋光是八十年代初Kurobe等人提出來的，原理圖如下：

柔性的橡膠墊將銅盤槽底部的磁性液體密封，拋光液放在銅盤槽中橡膠墊的上方，工件浸于拋光液中。在磁場(chǎng)作用下，磁性液體受力并作用到橡膠墊拋光盤上，柔性的橡膠墊拋光盤受力變形，其形狀與工件表面形狀吻合來對(duì)工件進(jìn)行拋光。拋光后表面粗糙度由10um (峰谷值)降到了幾個(gè)um。

1989年，Suzuki等人用這種方法使表面粗糙度從1500A降低到了100A，面形誤差從0.4μm降到了0.3um。

1993年，Suzuki等人用這種方法對(duì)40mm直徑的非球面玻璃拋光，材料去除率達(dá)到了2-4 um/h。

3、磁力研拋法

磁力研拋法是T.Shinmura等人提出來的，原理是：將被加工，工件與很多磁性拋光粉接觸，在外磁場(chǎng)作用下，磁性拋光粉聚結(jié)在一起形成磁粉刷，當(dāng)工件與刷有相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，他們之間相互摩擦，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)工件的拋光。

以上磁場(chǎng)輔助拋光法要么效率低，要么不易控制，要么產(chǎn)生大的下表面破壞層，總之都存在一定的缺陷，于是磁流變拋光在此基礎(chǔ)上應(yīng)運(yùn)而生。

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