在科技高速發(fā)展的現(xiàn)代，沒(méi)有人可以說(shuō)自己與半導(dǎo)體沒(méi)有關(guān)系。半導(dǎo)體這個(gè)名詞雖然聽(tīng)起來(lái)比較陌生，但卻早已深入我們的生活中，手機(jī)、電腦、電視、音響……這些我們?nèi)粘５碾娖?，里面都有半?dǎo)體元件。

半導(dǎo)體材料的起源與命名

1833年，英國(guó)科學(xué)家法拉第發(fā)現(xiàn)了一種半導(dǎo)體材料硫化銀，它的電阻隨著溫度上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。但當(dāng)時(shí)并沒(méi)有激起太大的火花。

1839年，法國(guó)的貝克萊爾發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體和電解質(zhì)接觸形成的結(jié)，在光照下會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓，這就是后來(lái)人們熟知的光生伏特效應(yīng)，這是被發(fā)現(xiàn)的半導(dǎo)體的第二個(gè)特征。

1874年，德國(guó)的布勞恩觀察到某些硫化物的電導(dǎo)與所加電場(chǎng)的方向有關(guān)，即它的導(dǎo)電有方向性，在它兩端加一個(gè)正向電壓，它是導(dǎo)通的；如果把電壓極性反過(guò)來(lái)，它就不導(dǎo)電，這就是半導(dǎo)體的整流效應(yīng)，也是半導(dǎo)體所特有的第三種特性。同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應(yīng)。

1873年，英國(guó)的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導(dǎo)增加的光電導(dǎo)效應(yīng)，這是半導(dǎo)體又一個(gè)特有的性質(zhì)。

以上，就是半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)先后被發(fā)現(xiàn)。

1911年，考尼白格和維斯首次使用半導(dǎo)體這個(gè)名詞。

1947年12月，貝爾實(shí)驗(yàn)室總結(jié)出半導(dǎo)體的這四個(gè)特性。

1906年，美國(guó)電機(jī)發(fā)明家匹卡，發(fā)明了第一個(gè)固態(tài)電子元件：無(wú)線(xiàn)電波偵測(cè)器(cat’s whisker)，它使用金屬與硅或硫化鉛相接觸所產(chǎn)生的整流功能，來(lái)偵測(cè)無(wú)線(xiàn)電波。

半導(dǎo)體領(lǐng)域的兩大理論

1939年,德國(guó)的蕭特在「德國(guó)物理學(xué)報(bào)」發(fā)表了一篇有關(guān)整流理論的重要論文，做了許多推論，他認(rèn)為金屬與半導(dǎo)體間有能障(potential barrier)的存在，其主要貢獻(xiàn)就在于精確計(jì)算出這個(gè)能障的形狀與寬度。

1942年，索末菲的學(xué)生貝特進(jìn)一步對(duì)整流理論進(jìn)行發(fā)展，他提出了熱電子發(fā)射理論(thermionic emission)，這些具有較高能量的電子，可越過(guò)能障到達(dá)另一邊，其理論也與實(shí)驗(yàn)結(jié)果較為符合。

與此同時(shí)，布洛赫則在能帶理論方面做出了重要的貢獻(xiàn)，其定理是將電子波函數(shù)加上了週期性的項(xiàng)，首開(kāi)能帶理論的先河。

1929年，德國(guó)人佩爾斯指出一個(gè)幾乎完全填滿(mǎn)的能帶，其電特性可以用一些帶正電的電荷來(lái)解釋?zhuān)@就是電洞概念的濫觴；他后來(lái)提出的微擾理論，解釋了能隙(Energy gap)存在。

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