上一篇文章我們了解了磁流變拋光相關的三個概念，今天我們繼續(xù)來看磁流變拋光技術的相關知識——去除函數(shù)。

為了實現(xiàn)對工件表面材料去除的精確控制，建立準確的適用于磁流變拋光的材料去除函數(shù)是十分必要的。去除函數(shù)物理上最直觀的表示是：磨頭在鏡面上某一固定點研磨或拋光一定時間，產(chǎn)生的材料去除量分布，它呈D 字形分布或者“子彈頭”形分布。

磁流變拋光技術實現(xiàn)非球面確定性加工的前提之一就是穩(wěn)定高效的去除函數(shù)。去除函數(shù)由拋光斑表征，拋光斑的特征參數(shù)和表面形貌也是影響磁流變拋光中高頻誤差的一個重要因素。拋光斑形貌對加工面形的影響規(guī)律及如何選取拋光斑避免引入中高頻誤差，是實現(xiàn)中頻誤差控制的一個難點。

-磁流變拋光機拋光非球面單晶硅元件-

在磁流變拋光技術中，實現(xiàn)工藝和拋光液的有效協(xié)同，是獲得良好拋光效果的關鍵。磁流變拋光液是拋光的工作介質（工具），是磁流變拋光技術的核心之一，直接決定著拋光過程的材料去除和拋光質量。

磁流變拋光技術具有無應力、無亞表面損傷、柔性剪切去除特性，與離子束加工技術被國際上公認為近三十年來在光學加工領域最為創(chuàng)新的兩大技術。而柔性剪切磁流變拋光液、高效去除函數(shù)算法的校正與補償是磁流變工藝技術的主要核心。

由于光學材料性能存在差異，磁流變對不同材料的去除機理及效率也不盡相同。需要對磁流變拋光液進行理化分析及實驗測試，同時，對拋光液的成分及比例做不同程度的調整，以分別適用于常規(guī)光學玻璃材料（Fused Silica、Zerodur等），軟性材料（Si、CaF2、ZnSe等），硬性材料（Rb-SiC，S-SiC等）。

拋光斑校正與補償算法能確定性去除光學元件低頻誤差并同時對中高頻誤差有效抑制。

目前，磁流變拋光系統(tǒng)主要以輪式為主。從磁流變拋光設備結構的角度，可以分為正置式和倒置式，光學元件在上而拋光輪在下一般稱為正置式，反之則是倒置式，大口徑的光學元件一般采用倒置式磁流變拋光結構。從產(chǎn)生磁場形式的角度，可以分為電磁型和永磁型。磁流變拋光系統(tǒng)安裝在多軸聯(lián)動機床上形成“磁流變拋光數(shù)控加工中心”。

磁流變拋光（MRF）在整個加工過程中，去除函數(shù)可以被控制的幾乎不變或發(fā)生可定量預知的變化，去除函數(shù)本身定量可控的屬性要求MRF的機床各個運動軸必須具有較高的空間位置分辨率、時間分辨率以及控制精度, 這對MRF 數(shù)控加工中心提出了很高的要求。

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