現(xiàn)代光學(xué)系統(tǒng)對光學(xué)元件的制造精度、批量和進度都提出了更高的要求。我國的慣性約束核聚變工程，需要在5~10年的時間內(nèi)完成大批量不同口徑的光學(xué)平面、曲面零件的高精度拋光和檢測；對于大口徑的光學(xué)元器件，要求其面型精度達到λ/10~λ/20、表面粗糙度Ra<5nm（甚至Rq優(yōu)于0.5nm）。

這些高精度的光學(xué)零件加工特別是大口徑非球面超精密、超光滑以及高效的拋光，需要關(guān)鍵的拋光設(shè)備和拋光材料。磁流變拋光在光學(xué)微納制造方面是公認(rèn)的革命性技術(shù)，能快速獲得數(shù)十納米以下的面形精度（PV）和1nm以下的表面粗糙度（Rq）。同時具有拋光斑和去除函數(shù)穩(wěn)定、去除量確定、去除率高、幾乎無亞表面損傷、適合于復(fù)雜面型拋光等優(yōu)點。

-磁流變拋光機拋光KDP晶體-

在磁流變拋光過程中，拋光粉作用于工件表面的法向力（大約1×10-4mN）遠(yuǎn)小于化學(xué)機械拋光（CMP）的法向力（5~200mN）。所以，磁流變拋光主要是在切向方向?qū)崿F(xiàn)材料的去除，在拋光過程中不引入新的亞表面損傷。

在磁流變拋光技術(shù)中，實現(xiàn)工藝和拋光液的有效協(xié)同，是獲得良好拋光效果的關(guān)鍵。磁流變拋光液是拋光的工作介質(zhì)（工具），是磁流拋光技術(shù)的核心之一，直接決定著拋光過程的材料去除和拋光質(zhì)量。

明白了嗎？這就是磁流變拋光液如此重要的原因。

卓精藝磁流變拋光液，具有無毒、無害、無揮發(fā)、穩(wěn)定性好的特性，可用于單晶硅、多晶硅等晶體材料和碳化硅、陶瓷、藍寶石等硬脆材料的磁流變修形拋光。如果您對我們感興趣，歡迎來電咨詢！