上文我們講了磁介質(zhì)輔助拋光法，文末我們指出：磁場輔助拋光法要么效率低，要么不易控制，要么產(chǎn)生大的下表面破壞層，總之都存在一定的缺陷。

為克服磁場輔助拋光法的這些缺點(diǎn)，磁流變拋光技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。

90年代初，W .I.Kordonski,I.V.Prokhorov及合作者將電磁學(xué)與流體動(dòng)力學(xué)理論結(jié)合于光學(xué)加工中發(fā)明了磁流變拋光(MRF)技術(shù)，原理圖如下：

磁流變拋光液在高強(qiáng)度的磁場中變成具有粘塑性的Bingham介質(zhì)，并形成緞帶凸起，當(dāng)介質(zhì)流經(jīng)工件與運(yùn)動(dòng)盤形成的微小間隙時(shí)，對工件表面與之接觸的區(qū)域產(chǎn)生很大的剪切力，從而使材料去除。

1994年，他們在樣機(jī)上初步進(jìn)行了拋光實(shí)驗(yàn)。

1995年，Rochester大學(xué)的光學(xué)加工中心利用MRF加工直徑小于50mm的非球面成功得到表面粗糙度為1nm的表面。

1996-1998年，Kordonski等人建立了材料去除理論模型。

1999年，Rochester 大學(xué)對拋光機(jī)理進(jìn)行了深入的研究，并分析了幾種材料的拋光特性，并將快速文本編輯程序引入研制了Q22系列的計(jì)算機(jī)控制磁流變拋光機(jī)，使MRF商業(yè)化。此后COM的研究者還研發(fā)了磁流變射流加工方式，實(shí)驗(yàn)表面粗糙度為0.65nm rms。

但是，在美國商務(wù)部明確限制了磁流變拋光設(shè)備對中國的出口。

之后，白俄羅斯的Prokhorow、德國的Deggendorf進(jìn)行進(jìn)一步應(yīng)用。韓國、日本的學(xué)者也進(jìn)行了這方面的研究工作，主要是在該技術(shù)的拋光液方面的研究。

想知道國內(nèi)磁流變技術(shù)的發(fā)展之路和目前的技術(shù)現(xiàn)狀嗎？下一篇文章揭秘。

卓精藝磁流變拋光機(jī)，可實(shí)現(xiàn)超光滑、超精密拋光，加工精度：納米精度加工，RMS 1/100λ(λ=632.8nm)；表面粗糙度：優(yōu)于0.5nm RMS；可對石英、微晶、ULE、BK7、單晶硅、碳化硅、藍(lán)寶石、硫化鋅等材料，實(shí)現(xiàn)平面、球面、二次曲面、高次非球面、自由曲面加工。如果您對我們感興趣，歡迎來電咨詢！

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